Question
Download Solution PDFटनल डायोड ___________________ के साथ एक pn डायोड है।
Answer (Detailed Solution Below)
Detailed Solution
Download Solution PDF- टनल डायोड एक अत्यधिक अपमिश्रित अर्धचालक डायोड है।
- अधिक प्रकार की अशुद्धियों के कारण p-प्रकार और n-प्रकार अर्धचालक टनल डायोड में भारी रूप से अपमिश्रित होते हैं। भारी अपमिश्रण के परिणामस्वरूप संकीर्ण अवक्षय क्षेत्र होता है।
- जब सामान्य p-n जंक्शन डायोड से तुलना होती है तो टनल डायोड में संकीर्ण कमी चौड़ाई होती है।
- फर्मी स्तर n-पक्ष में चालन बैंड में और p-पक्ष में संयोजी बैंड के अंदर चला जाता है।
- फर्मी स्तर के नीचे, सभी स्तर भरे हुए हैं और फर्मी स्तर से ऊपर सभी स्तर खाली हैं।
चरण 1: शून्य अभिनत में कोई धारा प्रवाह नहीं होता है क्योंकि फर्मी स्तर संरेखित होते हैं।
चरण 2: एक निम्न अग्र अभिनत लागू किया जाता है। विभव रोध अभी भी बहुत उच्च है - जंक्शन के माध्यम से कोई भी ध्यान देने योग्य अंतःक्षेपण और अग्र अभिनत नहीं होता है।
हालाँकि, n क्षेत्र के चालक बैंड में इलेक्ट्रॉन p क्षेत्र में संयोजी बैंड के खाली स्तरों में इलेक्ट्रॉन को टनल करते हैं।
यह एक अग्र अभिनत टनल धारा उत्पन्न करता है।
चरण 3. एक बड़े वोल्टेज के साथ n--क्षेत्र में अधिकांश इलेक्ट्रॉनों की ऊर्जा p--क्षेत्र के संयोजी बैंड में खाली स्तरों (छिद्रों) के बराबर होती है; यह अधिकतम टनलिंग धारा उत्पन्न करता है।
चरण 4: जैसे-जैसे अग्र अभिनत में वृद्धि होती है, n पक्ष में संयोजी बैंड के खाली स्तर के विपरीत दिशा में इलेक्ट्रॉनों की संख्या (उनकी ऊर्जा के संदर्भ में) में कमी होती है।
इसलिए, टनलिंग धारा कम होने लगती है।
चरण 5.
जैसे ही अधिक अग्र वोल्टेज लागू किया जाता है, टनल धारा शून्य हो जाती है।
लेकिन कम विभव रोध के कारण इलेक्ट्रान-छिद्र अंतःक्षेपण के कारण नियमित डायोड अग्र धारा को बढाता है।
चरण 6: वोल्टेज के और अधिक बढ़ने पर, टनल डायोड की I-V विशेषता एक नियमित p-n डायोड के समान हो जाती है।
विपरीत अभिनत के तहत
इस स्थिति में, p पक्ष टनल के संयोजी बैंड में इलेक्ट्रॉन सीधे n पक्ष के चालक बैंड में मौजूद खाली स्तरों की ओर गति करते हैं जिसके कारण अधिक टनलिंग धारा उत्पन्न होती है जो विपरीत वोल्टेज के अनुप्रयोग से बढ़ती है।
टनल डायोड की V-I विशेषता को सबसे अच्छी तरह से किस के द्वारा निरुपित किया जा सकता है।
Last updated on May 28, 2025
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