Carriers in Semiconductors MCQ Quiz in मराठी - Objective Question with Answer for Carriers in Semiconductors - मोफत PDF डाउनलोड करा

फर्मी पातळी:

फर्मी पातळी ही संयुजा बंधाच्या व्यापलेल्या अवस्थांना T = 0 K तापमानावरील वहन बंधाच्या रिक्त अवस्थांपासून विलग करणारी ऊर्जा आहे.

p-टाइप सेमीकंडक्टरमधील फर्मी ऊर्जा पातळी:

p-टाइप सेमीकंडक्टरसाठी, वहन बंधामधील इलेक्ट्रॉन्सपेक्षा संयुजा बंधामधील होल जास्त असतात.

हे सूचित करते की, वहन बंध कड्यांजवळ इलेक्ट्रॉन शोधण्याची संभाव्यता ही संयुजा बंधाच्या कड्यावरील होल शोधण्याच्या संभाव्यतेपेक्षा लहान असते.

म्हणून, p-टाइप सेमीकंडक्टरमध्ये फर्मी पातळी ही संयुजा बंधाच्या जवळ असते.

निषिद्ध ऊर्जा अंतर (Forbidden energy gap):

हे वहन ऊर्जा बंध आणि संयुजा ऊर्जा बंधामधील फरकाशिवाय अन्य काहीही नाही.

जर्मेनियमसाठी, निषिद्ध ऊर्जा अंतर 0.71 eV आहे.

• बाह्य वाहक ते आहेत ज्यांनी त्यांच्यामध्ये अशुद्धी जोडली आहे, जसे की p-प्रकार आणि n-प्रकारचे अर्धवाहक.
• n-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये मुख्य भार वाहक इलेक्ट्रॉन असतात.
• याचे कारण असे की n-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये फॉस्फरससारख्या पंचसंयुजी (5 संयुजा इलेक्ट्रॉन) अशुद्धी असतात.
• गट 5 च्या मूलद्रव्यांमध्ये पाच संयुजा इलेक्ट्रॉन आहेत, म्हणजे गट 4 मूलद्रव्यांपेक्षा 1 अतिरिक्त. 5 पैकी 4 इलेक्ट्रॉन शेजारच्या सिलिकॉन अणूंशी जोडले जातात आणि 1 इलेक्ट्रॉन प्रति अणू गट 5 मूलद्रव्यांसह अतिरिक्त राहतो.
• अशा प्रकारे, n-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये इलेक्ट्रॉन हे प्रमुख प्रभार वाहक असतात.
• p-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये गट 3 मधील मूलद्रव्यांची अशुद्धी असते आणि त्यातील धनभारित बिंदू बहुसंख्य भार वाहक असतात.

• बाह्य वाहक ते आहेत ज्यांनी त्यांच्यामध्ये अशुद्धी जोडली आहे, जसे की p-प्रकार आणि n-प्रकारचे अर्धवाहक.
• n-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये मुख्य भार वाहक इलेक्ट्रॉन असतात.
• याचे कारण असे की n-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये फॉस्फरससारख्या पंचसंयुजी (5 संयुजा इलेक्ट्रॉन) अशुद्धी असतात.
• गट 5 च्या मूलद्रव्यांमध्ये पाच संयुजा इलेक्ट्रॉन आहेत, म्हणजे गट 4 मूलद्रव्यांपेक्षा 1 अतिरिक्त. 5 पैकी 4 इलेक्ट्रॉन शेजारच्या सिलिकॉन अणूंशी जोडले जातात आणि 1 इलेक्ट्रॉन प्रति अणू गट 5 मूलद्रव्यांसह अतिरिक्त राहतो.
• अशा प्रकारे, n-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये इलेक्ट्रॉन हे प्रमुख प्रभार वाहक असतात.
• p-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये गट 3 मधील मूलद्रव्यांची अशुद्धी असते आणि त्यातील धनभारित बिंदू बहुसंख्य भार वाहक असतात.

फर्मी पातळी:

फर्मी पातळी ही संयुजा बंधाच्या व्यापलेल्या अवस्थांना T = 0 K तापमानावरील वहन बंधाच्या रिक्त अवस्थांपासून विलग करणारी ऊर्जा आहे.

p-टाइप सेमीकंडक्टरमधील फर्मी ऊर्जा पातळी:

p-टाइप सेमीकंडक्टरसाठी, वहन बंधामधील इलेक्ट्रॉन्सपेक्षा संयुजा बंधामधील होल जास्त असतात.

हे सूचित करते की, वहन बंध कड्यांजवळ इलेक्ट्रॉन शोधण्याची संभाव्यता ही संयुजा बंधाच्या कड्यावरील होल शोधण्याच्या संभाव्यतेपेक्षा लहान असते.

म्हणून, p-टाइप सेमीकंडक्टरमध्ये फर्मी पातळी ही संयुजा बंधाच्या जवळ असते.

निषिद्ध ऊर्जा अंतर (Forbidden energy gap):

हे वहन ऊर्जा बंध आणि संयुजा ऊर्जा बंधामधील फरकाशिवाय अन्य काहीही नाही.

जर्मेनियमसाठी, निषिद्ध ऊर्जा अंतर 0.71 eV आहे.

• बाह्य वाहक ते आहेत ज्यांनी त्यांच्यामध्ये अशुद्धी जोडली आहे, जसे की p-प्रकार आणि n-प्रकारचे अर्धवाहक.
• n-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये मुख्य भार वाहक इलेक्ट्रॉन असतात.
• याचे कारण असे की n-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये फॉस्फरससारख्या पंचसंयुजी (5 संयुजा इलेक्ट्रॉन) अशुद्धी असतात.
• गट 5 च्या मूलद्रव्यांमध्ये पाच संयुजा इलेक्ट्रॉन आहेत, म्हणजे गट 4 मूलद्रव्यांपेक्षा 1 अतिरिक्त. 5 पैकी 4 इलेक्ट्रॉन शेजारच्या सिलिकॉन अणूंशी जोडले जातात आणि 1 इलेक्ट्रॉन प्रति अणू गट 5 मूलद्रव्यांसह अतिरिक्त राहतो.
• अशा प्रकारे, n-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये इलेक्ट्रॉन हे प्रमुख प्रभार वाहक असतात.
• p-प्रकारच्या अर्धवाहकांमध्ये गट 3 मधील मूलद्रव्यांची अशुद्धी असते आणि त्यातील धनभारित बिंदू बहुसंख्य भार वाहक असतात.

फर्मी पातळी:

फर्मी पातळी ही संयुजा बंधाच्या व्यापलेल्या अवस्थांना T = 0 K तापमानावरील वहन बंधाच्या रिक्त अवस्थांपासून विलग करणारी ऊर्जा आहे.

p-टाइप सेमीकंडक्टरमधील फर्मी ऊर्जा पातळी:

p-टाइप सेमीकंडक्टरसाठी, वहन बंधामधील इलेक्ट्रॉन्सपेक्षा संयुजा बंधामधील होल जास्त असतात.

हे सूचित करते की, वहन बंध कड्यांजवळ इलेक्ट्रॉन शोधण्याची संभाव्यता ही संयुजा बंधाच्या कड्यावरील होल शोधण्याच्या संभाव्यतेपेक्षा लहान असते.

म्हणून, p-टाइप सेमीकंडक्टरमध्ये फर्मी पातळी ही संयुजा बंधाच्या जवळ असते.

निषिद्ध ऊर्जा अंतर (Forbidden energy gap):

हे वहन ऊर्जा बंध आणि संयुजा ऊर्जा बंधामधील फरकाशिवाय अन्य काहीही नाही.

जर्मेनियमसाठी, निषिद्ध ऊर्जा अंतर 0.71 eV आहे.